- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGB30H60DLLFBAG
汽车级沟槽栅场截止型IGBT，高速开关系列，具有低尾电流、低正向压降软恢复共封装二极管等特性
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- 描述
- 汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB30H60DLLFBAG
- 商品编号
- C5268569
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5nF | |
| 输出电容(Coes) | 120pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 75pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 320ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 600uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于新的HB系列，在导通和开关损耗之间达到平衡，以最大化任何变频器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- AEC-Q101合格
- 最大结温：175℃
- 逻辑电平栅极驱动
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- VCE(sat)典型值1.7V（Ic=30A）
- 低VF软恢复共封装二极管
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
应用领域
- 点火