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STGWA80H65DFB
650V 120A
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- 描述
- 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA80H65DFB
- 商品编号
- C5268579
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 240A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@80A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 10.524nF | |
| 输出电容(Coes) | 385pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 215pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 84ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 280ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 85ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅和场截止结构开发的IGBT。该器件属于新型"HB"系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间实现了平衡，以最大化任何频率转换器的效率。此外，略正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最高结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 饱和电压V_CE(sat)典型值为1.6V（在集电极电流I_C=80A时）
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 极快软恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 高频转换器