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STD170N4F7AG
耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD170N4F7AG
- 商品编号
- C5268625
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 172W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.43nF |
商品概述
这款双中心抽头场效应整流器在整个反向电压范围内提供稳定的漏电流和低正向压降。 该器件采用TO-220AB、I²PAK或D²PAK封装，适用于太阳能旁路接线盒和开关模式电源。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻(RDS(on))最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用