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STH270N8F7-6
耐压:80V 电流:180A
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- 描述
- N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH270N8F7-6
- 商品编号
- C5268630
- 商品封装
- H2PAK-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 315W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 193nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并显著改善了单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)），具备市场上最有效的开关性能，适用于要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具有极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用