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STB14N80K5
耐压:800V 电流:12A
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- 描述
- N沟道800 V、0.400 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB14N80K5
- 商品编号
- C5268637
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 445mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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