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STH140N8F7-2
1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
- 描述
- N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH140N8F7-2
- 商品编号
- C5268628
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.34nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款双整流器基于专有技术，在给定的硅片面积下，实现了同类产品中最优的正向电压（VF）/反向电流（IR）性能。 该器件采用TO - 220AB和D²PAK封装，适用于开关模式电源或汽车应用。
商品特性
- 意法半导体（ST）先进的整流器工艺
- 反向电压下漏电流稳定
- 正向压降小
- 可高频运行
应用领域
- 开关模式电源-汽车应用