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STGW25M120DF3
1.2kV 25A
- 描述
- 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW25M120DF3
- 商品编号
- C5268604
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.886667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@960V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.55nF | |
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 65pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 150ns | |
| 导通损耗(Eon) | 850uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 265ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列IGBT。该系列IGBT在逆变器系统性能与效率之间实现了优化平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，V_CE(sat)的正温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最高结温：T_J=175℃
- 短路耐受时间：10μs
- 低V_CE(sat)：1.85V（典型值）@I_C=25A
- 参数分布紧密
- V_CE(sat)具有正温度系数
- 热阻低
- 软恢复和快恢复反并联二极管
应用领域
- 工业驱动器
- UPS（不间断电源）
- 太阳能
- 焊接