- 引脚图
- 焊盘图
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STGW8M120DF3
1.2kV 16A
- 描述
- 1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW8M120DF3
- 商品编号
- C5268601
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 16A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 32A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@8A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@500uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 542pF | |
| 输出电容(Coes) | 74.4pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 21pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 126ns | |
| 导通损耗(Eon) | 390uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 370uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 103ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列IGBT，在逆变器系统性能和效率之间达到平衡，低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 10 µs短路耐受时间
- VCE(sat)=1.85V（典型值）@IC=8A
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
- 软且非常快速恢复的反并联二极管
应用领域
- 工业驱动器
- UPS
- 太阳能
- 焊接