- 引脚图
- 焊盘图
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STGW75M65DF2
STGW75M65DF2
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- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、75 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW75M65DF2
- 商品编号
- C5268589
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 468W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.29nF | |
| 输出电容(Coes) | 390pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 136pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
| 导通损耗(Eon) | 690uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.54mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 165ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列，电压650V，电流75A，低损耗，封装为TO-247和TO-247长引线。该系列IGBT在逆变器系统性能和效率之间达到最优平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间为6μs
- VCE(sat)典型值为1.65V（@IC=75A）
- 参数分布紧密
- 并联操作更安全
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 反并联二极管具有软且极快的恢复特性
- 最大结温为175℃
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC
- 通用逆变器