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STGYA50H120DF2
1.2kV 100A
- 描述
- 1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，Max247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGYA50H120DF2
- 商品编号
- C5268594
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 535W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.15nF | |
| 输出电容(Coes) | 288pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 104pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 284ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 340ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于H系列IGBT的一部分。该系列在导通损耗和开关损耗之间实现了平衡，以最大化高开关频率转换器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最高结温：175℃
- 短路耐受时间：5 μs
- 低VCE(sat)=2.1 V（典型值）@ IC=50 A
- 参数分布紧密
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 极快恢复反并联二极管
应用领域
- UPS
- 太阳能逆变器
- 焊接设备
- PFC（功率因数校正）