- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGW25H120DF2
沟槽栅场截止型高速IGBT，导通与开关损耗平衡，可安全并联
- 描述
- 1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW25H120DF2
- 商品编号
- C5268596
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.01nF | |
| 输出电容(Coes) | 146pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 49pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 130ns | |
| 导通损耗(Eon) | 600uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 700uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 303ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件属于H系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间实现了最优平衡，以最大化高频转换器的效率。此外，略正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- VCE(sat)典型值：2.1V@IC=25A
- 150℃下最小短路耐受时间：5μs
- 安全并联
- 低热阻
- 超快恢复反并联二极管
应用领域
- 光伏逆变器
- 不间断电源
- 焊接
- 功率因数校正
- 高频转换器