- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGW40H65FB
650V 80A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW40H65FB
- 商品编号
- C5268578
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.412nF | |
| 输出电容(Coes) | 198pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 107pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 142ns | |
| 导通损耗(Eon) | 498uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 363uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于新的HB系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间达到良好平衡，以提升变频器的效率。此外，VCE(sat)的轻微正温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：T_J=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 极低饱和电压：V_CE(sat)=1.6V（典型值）@I_C=40A
- 安全并联
- 参数分布紧密
- 低热阻
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器