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STGW80H65DFB-4
650V 120A
- 描述
- 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW80H65DFB-4
- 商品编号
- C5268573
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@80A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 10.524nF | |
| 输出电容(Coes) | 385pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 215pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 75ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 336ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 112ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于新HB系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间达到平衡，以最大化任何变频器的效率。Kelvin引脚可实现更快的开关事件，将功率路径与驱动信号分离。此外，VCE(sat)温度系数略正且参数分布非常紧密，使并联操作更安全。
商品特性
- VCE(sat)典型值为1.6V@Ic=80A
- 最大结温：Tj=175℃
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 极快软恢复反并联二极管
- 额外驱动Kelvin引脚带来的开关性能
应用领域
- 光伏逆变器
- 高频变频器