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STGW80H65DFB-4
650V 120A
- 描述
- 650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW80H65DFB-4
- 商品编号
- C5268573
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 输出电容(Coes) | 385pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@80A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 414nC | |
| 输入电容(Cies) | 10.524nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 75ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 336ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 112ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 215pF |