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STGH30H65DFB-2AG
650V 60A
- 描述
- 汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGH30H65DFB-2AG
- 商品编号
- C5268567
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA | |
| 输入电容(Cies) | 3.695nF@25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | 555uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 300uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 28ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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