- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGWA30H65DFB2
STGWA30H65DFB2
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA30H65DFB2
- 商品编号
- C5268564
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.57nF | |
| 输出电容(Coes) | 98pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 71ns | |
| 导通损耗(Eon) | 270uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 310uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 115ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的650 V HB2系列IGBT是先进专有沟槽栅场截止结构的演进版本。HB2系列的性能在导通方面进行了优化，这得益于低电流值下更好的V_CE(sat)表现，以及更低的开关能量。一个极快且软恢复的二极管与IGBT反向并联共封装。其结果是一款专为在广泛的快速应用中最大化效率而设计的产品。
商品特性
- 最高结温：T_J =175℃
- 低V_CE(sat)：1.65V（典型值），在I_C=30A时
- 极快且软恢复的共封装二极管
- 最小化的尾电流
- 紧密的参数分布
- 低热阻
- V_CE(sat)具有正温度系数
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能逆变器
- 充电器