- 引脚图
- 焊盘图
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STGWA30H65DFB2
STGWA30H65DFB2
- 描述
- 采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA30H65DFB2
- 商品编号
- C5268564
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.57nF | |
| 输出电容(Coes) | 98pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 71ns | |
| 导通损耗(Eon) | 270uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 310uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 115ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |