- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGB40V60F
600V 80A
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- 描述
- 600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB40V60F
- 商品编号
- C5268557
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 226nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 220pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 180pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 52ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 208ns | |
| 导通损耗(Eon) | 456uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 411uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于V系列IGBT，在导通损耗和开关损耗之间实现了平衡，以最大化高频转换器的效率。此外，正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更安全。
商品特性
- 最大结温：175℃
- 无尾关断
- VCE(sat)典型值：1.8V @ Ic=40A
- 参数分布紧密
- 支持安全并联
- 低热阻
应用领域
- 焊接设备
- 功率因数校正系统
- UPS（不间断电源）
- 太阳能逆变器
- 充电器