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STGB50H65FB2
沟槽栅场截止结构高速IGBT，适用于多种快速应用
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- 描述
- 采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A、高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB50H65FB2
- 商品编号
- C5268560
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 86A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.928nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 162pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 78pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 115ns | |
| 导通损耗(Eon) | 910uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 580uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的650V HB2系列IGBT是先进专有沟槽栅场截止结构的演进版本。HB2系列的性能在导通方面进行了优化，这得益于低电流值下更好的V_CE(sat)表现，以及开关能量的降低。其结果是一款专为在广泛的快速应用中最大化效率而设计的产品。
商品特性
- 最高结温：T_J=175℃
- 低V_CE(sat)=1.55V（典型值）@I_C=50A
- 最小化尾电流
- 紧密的参数分布
- 低热阻
- V_CE(sat)具有正温度系数
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器