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DMG3407SSN-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 这款MOSFET经过精心设计，可将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG3407SSN-7
- 商品编号
- C5245250
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 高漏源电压额定值
- 静电放电（ESD）防护高达1kV
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 小型伺服电机控制-功率MOSFET栅极驱动器-开关应用