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DMN1250UFEL-7
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 RDS(ON)：280mΩ @ Vds = 4.5V（单MOSFET）。 一个封装中有8个N沟道MOSFET。 共源极。 小尺寸：1.5mm × 1.5mm。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素、锑和铍的“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1250UFEL-7
- 商品编号
- C5245262
- 商品封装
- U-QFN1515-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 3个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 146pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极电荷
- RDS(ON):280 mΩ(VGS = 4.5 V,单 MOSFET)
- 单封装内集成 8 个 N 沟道 MOSFET
- 共源极
- 小尺寸封装,1.5mm × 1.5mm
- 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
- 无卤素、锑和铍,“绿色”器件
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护