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DMN2011UTS-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:21A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2011UTS-13
- 商品编号
- C5245271
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.248nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积为3.05 mm × 1.77 mm的CSP封装
- 低外形高度为0.11mm
- 栅极ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护