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DMN2120UFCL-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.8A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2120UFCL-7
- 商品编号
- C5245281
- 商品封装
- UDFN1616-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@2.5V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MPG180N10P采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 180 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 高密度单元设计，降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源