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DMN2990UFO-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2990UFO-7B
- 商品编号
- C5245289
- 商品封装
- X2-DFN0604-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 840mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 410pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 31pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ZXMS6004DT8Q是一款双路自保护低压侧MOSFET，具备逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。在标准MOSFET不够耐用的恶劣环境中，ZXMS6004DT8Q作为由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关非常理想。
商品特性
- 低封装高度
- 0.6mm x 0.4mm封装尺寸
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关