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DMN31D5UFO-7B
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D5UFO-7B
- 商品编号
- C5245316
- 商品封装
- X2-DFN0604-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低封装高度
- 0.6 mm × 0.4 mm封装尺寸
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关