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DMN4036LK3-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:12.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN4036LK3-13
- 商品编号
- C5245320
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 453pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-“绿色”元件,符合RoHS标准-通过AEC-Q101高可靠性标准认证
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能