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DMN62D4LFB-7B
1个N沟道 耐压:60V 电流:407mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D4LFB-7B
- 商品编号
- C5245327
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 407mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.33Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器