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DMP2200UFCL-7
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.7A
- 描述
- 该器件采用热性能和空间效率俱佳的U-DFN1616-6（F型）封装，提供高性能、低RDS(ON)的P沟道MOSFET。该MOSFET的低RDS(ON)特性可确保降低传导损耗，使其非常适合用于以下应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2200UFCL-7
- 商品编号
- C5245366
- 商品封装
- UDFN1616-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 典型离板高度为0.5mm,非常适合轻薄型应用
- 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
- PCB占位面积为2.56mm2
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
- 栅极具备ESD保护
应用领域
- 电池断开开关
- 用于电源管理功能的负载开关