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DMP56D0UFB-7B
1个P沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- 这一新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP56D0UFB-7B
- 商品编号
- C5245394
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 425mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 580pC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 50.54pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 栅极具备ESD保护
- 低输入/输出泄漏电流
- 快速开关速度
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤和无锑。“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器