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DMT8012LSS-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:9.7A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8012LSS-13
- 商品编号
- C5245436
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,8.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.949nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度降低 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
应用领域
- 电机控制-DC-DC 转换器-电源管理