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DMTH10H1M7STLW-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
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- 描述
- 新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H1M7STLW-13
- 商品编号
- C5245443
- 商品封装
- PowerDI1012-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.871nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
应用领域
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
- 背光照明