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ZXMN10A11G
100V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A11G
- 商品编号
- C5245475
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 274pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 快速开关速度
- 低栅极驱动
- 低输入电容
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑 “绿色” 器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具备高可靠性
应用领域
-电机控制-直流-直流转换器-电源管理功能-不间断电源