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ZXMN10A11G
100V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN10A11G
- 商品编号
- C5245475
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,2.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 274pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101标准，具备高可靠性
应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理-负载开关-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器