温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMN3A01ZTA
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3A01ZTA
- 商品编号
- C5245479
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 186pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低栅极驱动-SO8 封装
应用领域
- DC-DC 转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制