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ZXMN3F31DN8TA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN3F31DN8TA

2个N沟道 耐压:30V 电流:7.3A

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描述
这款新一代沟槽式 MOSFET 的特点是,在 4.5V 栅极驱动下可实现低导通电阻。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMN3F31DN8TA
商品编号
C5245483
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V,7A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)12.9nC@10V
输入电容(Ciss)608pF@15V
反向传输电容(Crss)71pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关和高雪崩耐受能力的特点,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 高雪崩能量脉冲耐受能力
  • 低输入电容
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • “绿色”元件,符合RoHS标准
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

应用领域

  • VoIP应用的用户线路接口电路(SLIC)线路驱动器
  • 变压器驱动开关
  • 电源管理功能
  • 电机控制
  • 不间断电源

数据手册PDF