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DSS5220T-13
低饱和晶体管 PNP 电流:2A 电压:20V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -20V。 IC = -2A 连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -150mV @ -1A。 RCE(sat) = 113mΩ 低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS5220T-13
- 商品编号
- C5245531
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |