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DXTP5820CFDB-7
20V NPN低饱和晶体管 PNP 电流:6A 电压:20V
- 描述
- 特性：- BVCEO >-20V。hFE 规定高达-6A，以保持高电流增益。低外形，0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用：- DC-DC 转换器。充电电路
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTP5820CFDB-7
- 商品编号
- C5245533
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 直流电流增益(hFE) | 190@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 135mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |