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ZXMN3B04N8TA
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A
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- 描述
- 新一代沟槽式 MOSFET 采用独特的结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其成为高效、低压电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3B04N8TA
- 商品编号
- C5245482
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,7.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容-低导通电阻-快速开关速度-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101标准,可靠性高
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-背光照明