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DMTH61M5SPSW-13实物图
  • DMTH61M5SPSW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH61M5SPSW-13

耐压:60V 电流:225A

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描述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低,同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH61M5SPSW-13
商品编号
C5245458
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)225A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)167W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130.6nC@10V
输入电容(Ciss)8.306nF@30V
反向传输电容(Crss)184pF@30V
工作温度-55℃~+175℃
配置-

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低RDS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高温环境
  • 高转换效率
  • 低RDS(ON),可最大程度降低导通损耗
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 负载开关

数据手册PDF