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DMTH8012LK3-13实物图
  • DMTH8012LK3-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH8012LK3-13

1个N沟道 耐压:80V 电流:50A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH8012LK3-13
商品编号
C5245462
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.949nF@40V
反向传输电容(Crss)10pF@40V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 高转换效率
  • 低导通电阻(RDS(ON)) — 最大限度降低导通损耗
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 同步整流器
  • DC-DC转换器
  • 电源管理

数据手册PDF