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ZXM61N02FTC
20V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 这新一代的高密度MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优势相结合。这使其成为高效、低电压电源管理应用的理想选择。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXM61N02FTC
- 商品编号
- C5245468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,0.93A | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新一代高密度MOSFET采用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势，非常适合高效、低压电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- SOT23封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
- 断开开关
- 电机控制