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DMTH10H010LCTB-13
耐压:100V
- 描述
- -
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H010LCTB-13
- 商品编号
- C5245441
- 商品封装
- TO-263AB(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品概述
这款新一代n沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度高达 +175°C — 适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)— 最小化功率损耗
- 低Qg — 最小化开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-同步整流-逆变器-DC-DC转换器