温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH10H010LCTB-13
耐压:100V
- 描述
- -
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H010LCTB-13
- 商品编号
- C5245441
- 商品封装
- TO-263AB(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品概述
这款新一代n沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 散热高效封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 低漏源导通电阻——最大程度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度<1.1mm——适用于轻薄应用
- 栅极具有ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-电源管理