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DMTH10H010SPS-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H010SPS-13
- 商品编号
- C5245442
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 746pF |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达 +175°C,适用于高环境温度环境
- 100% 非钳位电感式开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 开关速度快
- 无铅涂层,符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 该部件符合 JEDEC 标准(如 AEC - Q 中引用),具备高可靠性
应用领域
-电机控制-DC-DC 转换器-电源管理