温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT8030LFDF-7
80V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT8030LFDF-7
- 商品编号
- C5245437
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 272pF |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 适用于电源应用的高BVdss额定值
- 低输入/输出泄漏电流
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（参考AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 电机控制
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能