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DMT4008LFDF-7
40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT4008LFDF-7
- 商品编号
- C5245420
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.179nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 0.6mm厚度——适用于薄型应用
- 4mm2的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光照明