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DMT6017LDV-7
65V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6017LDV-7
- 商品编号
- C5245431
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
商品概述
先进沟槽技术 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-逻辑电平转换