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DMT6017LDV-7
65V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6017LDV-7
- 商品编号
- C5245431
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
商品概述
先进沟槽技术 出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)— 确保导通损耗最小化
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 栅极具有静电保护功能
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 无线充电
- DC-DC转换器
- 电源管理