温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT67M8LSS-13
60V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 本MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT67M8LSS-13
- 商品编号
- C5245434
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,16.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，使终端产品体积更小
- 低导通电阻
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等