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DMT6015LPS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:31A
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- 描述
- 这款新一代 n 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6015LPS-13
- 商品编号
- C5245429
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.103nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 251.3pF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化漏源导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 散热高效封装 - 适用于低温运行应用
- 封装高度<1.1mm - 适用于轻薄型应用
- 高转换效率
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)） - 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关