温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6005LSS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:13.5A
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6005LSS-13
- 商品编号
- C5245424
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.962nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 厚度——适用于薄型应用
- 4平方毫米的PCB占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 电池管理应用-电源管理功能-DC-DC转换器