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DMT35M4LFDF-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M4LFDF-7
- 商品编号
- C5245416
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.009nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 热效率高的封装——适用于低温运行应用
- 高转换效率
- 生产过程中进行 100% 非箝位电感开关 (UIS) 测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻 RDS(ON)——最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度 <1.1mm——适用于超薄应用（PowerDI）
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-DC-DC 转换器-电源管理