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DMT3006LPB-13
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3006LPB-13
- 商品编号
- C5245415
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 841pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻 (RDS(on)) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低 RDS(on)——确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用 SO - 8 封装 33% 的电路板面积，有助于缩小终端产品尺寸
- 栅极具备 ESD 保护
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
-笔记本电脑电池电源管理-DC-DC 转换器-负载开关