温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMS2085LSD-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMS2085LSD-13
- 商品编号
- C5245401
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 353pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低封装高度，最大封装高度0.4mm
- 封装占位面积0.48mm²，比SOT23小16倍
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压，最大1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关