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DMT10H015LFG-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:42A 电流:10A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H015LFG-7
- 商品编号
- C5245407
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.871nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能